TMS-Z13
二维支付扫码芯片
封装：QFN68
特点：外围电路简单，配套解码算法，便于快速开发集成
应用场景：扫码盒子、嵌入式扫码设备
封装：QFN68
特点：外围电路简单，配套解码算法，便于快速开发集成
应用场景：扫码盒子、嵌入式扫码设备
产品特征：
| 内核 | CPU |
- 高性能 32 位内核 - 系统时钟可配置，最高工作时钟 192 MHz |
| 存储 | FLASH |
- 容量：512KB - 支持 CACHE |
| OTP |
- 一次编程存储器，用户可编程 - 存储产品唯一序列号，用户只读 |
|
| RAM |
- 容量：512KB |
|
| 对外接口 |
- 支持 4 路 UART 接口，支持免晶体 - DCMI 摄像头控制接口 |
|
| 外设 | - DMA：8 通道通用 DMA 控制器 - CRC：支持 CRC16-CCITT 和 CRC32 - DRNG：伪随机数发生器 - TRNG：真随机数发生器；4 路数字随机源 - Timer：6 个通用 16 位/32 位定时器/计数器，SysTick timer - RTC：支持硬件日历，支持免晶体 |
|
| 安全性 | 环境监测电路 | - 高/低电压检测（PVD） - 电池高/低压检测（BATVD） - 电源电压毛刺检测（EGS） - 温度检测（Temperature Sensor） - 光检测（LD） - 频率检测（针对 XTAL 时钟） - 频率检测（针对 32.768KHz 时钟） - 防破拆检测（4 路静态） - 主动屏蔽层（Active Shielding） |
| 看门狗电路（WDT，IWDT） | 支持 | |
| 内存加密存储 | 支持 | |
| 总线加密传输 | 支持 | |
| 随机时序，随机噪声 | 支持 |
工作特性：
| 符号 | 中文名称 | 条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
| fSYS | 系统主频 | 0 | - | 192 | MHz | |
| VDDIO1 | 系统主供电电源 | 1.65 | 3.3 | 3.6 | V | |
| VDDIO2 | IO 供电电源 1 | 1.65 | 3.3 | 3.6 | ||
| VDDIO3 | IO 供电电源 2（Supply For GB12,GB13,GB14,GD4,GD10,GD11） | 1.65 | 3.3 | 3.6 | ||
| VDDUSB | USBPHY 供电电源 | 不使用 USB 的应用 | 1.8 | 3.3 | 3.6 | |
| VDDADCA | ADC 模拟供电电源（含三路放大器） | 1.56 | 3.3 | 3.6 | ||
| VDDADCD | ADC 数字供电电源 | 1.56 | 3.3 | 3.6 | ||
| VDDXVRT | ADC 参考电源 | 1.56 | - | VDDADCA | ||
| VBAT | 电池电源域电源 | 1.65 | 3.3 | 3.6 | ||
| VDD12D | 系统核心电源（外接 1~5uF 电容） | 1.08 | 1.2 | 1.32 | ||
| TA | 芯片工作温度 | -25 | - | 85 | ℃ |
电流特性：
| 符号 | 中文名称 | 条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
| IDD | VDDIO1动态电流 | 192MHz | - | - | 25 | mA |
| IDD_SLEEP | VDDIO1 睡眠模式电流 | 192MHz | - | - | 13 | |
| IDD_STOP | VDDIO1 停止模式电流，LDO 正常驱动电压（VDD12D约 1.2v） | 250 | 600 | 1200 | uA | |
| IDD_STANDBY | VDDIO1 待机模式电流 | - | 0.5 | - |
IO特性：
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| 符号 | 中文名称 | 条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
| VIL | IO 输入低电平 | VDDIO2、VDDIO3 1.8V | - | - | 0.6 | V |
| VDDIO2、VDDIO3 2.5V | - | - | 0.7 | |||
| VDDIO2、VDDIO3 3.3V | - | - | 0.8 | |||
| VIH | IO 输入高电平 | VDDIO2、VDDIO3 1.8V | 1.2 | - | - | |
| VDDIO2、VDDIO3 2.5V | 1.7 | - | - | |||
| VDDIO2、VDDIO3 3.3V | 2 | - | - | |||
| VOL | IO 输出低电平 | VDDIO = VDDIO2、VDDIO3 | - | - | 0.4 | |
| VOH | IO 输出高电平 | VDDIO-0.4 | - | - | ||
| Pull-up | 上拉电阻 | - | 41 | - | kΩ | |
| Pull-down | 下拉电阻 | - | 42 | - | ||
| tRISE | IO 上升时间（CL = 14pF） | OSPEEDR = 00 (IO 输出速率为低速) | - | 2.49 | - | nS |
| OSPEEDR = 01 (IO 输出速率为中速) | - | 1.45 | - | |||
| OSPEEDR = 10 (IO 输出速率为快速) | - | 1.05 | - | |||
| OSPEEDR = 11 (IO 输出速率为高速) | - | 0.86 | - | |||
| tFALL | IO 下降时间（CL = 14Pf2） | OSPEEDR = 00 (IO 输出速率为低速) | - | 2.33 | - | |
| OSPEEDR = 01 (IO 输出速率为中速) | - | 1.36 | - | |||
| OSPEEDR = 10 (IO 输出速率为快速) | - | 0.99 | - | |||
| OSPEEDR = 11 (IO 输出速率为高速) | - | 0.81 | - | |||
| IDS | IO 输出驱动能力 | OSPEEDR = 00 (IO 输出速率为低速) | - | 4.5 | - | mA |
| OSPEEDR = 01 (IO 输出速率为中速) | - | 9 | - | |||
| OSPEEDR = 10 (IO 输出速率为快速) | - | 13.5 | - | |||
| OSPEEDR = 11 (IO 输出速率为高速) | - | 18 | - |
晶体工作参数：
| 符号 | 中文名称 | 条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
| FHSE | 外部高速晶体振荡器 | 1 | - | 66 | MHz | |
| FHSI | 内部高速 RC 振荡器 | - | 12 | - | MHz | |
| FLSE | 外部低速晶体振荡器 | - | 32 | - | KHz | |
| FLSI | 内部低速晶体振荡器 | - | 32 | - | KHz |
EMC 特性：
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| 符号 | 中文名称 | 条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
| VHBM | ESD 人体模型（注 1） | 4000 | - | - | V |
注 1：Determined according to JEDEC Standard JESD22-A114, Electrostatic Discharge (ESD) Sensitivity Testing Human Body Model (HBM).
产品手册：
下载地址：TMS-Z13产品手册
